规格书 |
|
Rohs |
Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 |
3,000 |
FET 型
|
MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 |
Depletion Mode |
漏极至源极电压(VDSS) |
60V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C |
230mA |
Rds(最大)@ ID,VGS |
3.5 Ohm @ 160mA, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id |
2.4V @ 26µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS |
2.9nC @ 5V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 |
44pF @ 25V |
功率 - 最大 |
360mW |
安装类型
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Surface Mount |
包/盒
|
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
供应商器件封装 |
PG-SOT23-3 |
包装材料
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Tape & Reel (TR) |
工厂包装数量 |
3000 |
产品种类 |
MOSFET |
晶体管极性 |
N-Channel |
配置 |
Single |
源极击穿电压 |
+/- 20 V |
连续漏极电流 |
0.23 A |
系列 |
BSS159 |
安装风格 |
SMD/SMT |
RDS(ON) |
3500 mOhms |
封装 |
Reel |
功率耗散 |
360 mW |
最低工作温度 |
- 55 C |
封装/外壳 |
SOT-23-3 |
典型关闭延迟时间 |
9 ns |
零件号别名 |
BSS159NL6906HTSA1 SP000247298 |
上升时间 |
2.9 ns |
最高工作温度 |
+ 150 C |
漏源击穿电压 |
60 V |
RoHS |
RoHS Compliant |
下降时间 |
2.9 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage |
60 V |
宽度 |
1.3 mm |
Vgs - Gate-Source Voltage |
20 V |
产品 |
MOSFET Small Signal |
品牌 |
Infineon Technologies |
通道数 |
1 Channel |
晶体管类型 |
1 N-Channel |
Id - Continuous Drain Current |
130 mA |
长度 |
2.9 mm |
Rds On - Drain-Source Resistance |
8 Ohms |
通道模式 |
Depletion |
身高 |
1.1 mm |
典型导通延迟时间 |
3.1 ns |
Pd - Power Dissipation |
360 mW |
技术 |
Si |